绪论与硅片的制备
0 绪论（2学时）
01 微电子工艺是讲什么的？
02 微电子工艺的发展历程如何？
03 微电子工艺有什么特点？
04 半导体单晶硅有什么特性？
第1章 硅片的制备（2学时）
1.1多晶硅制备
1.2单晶生长
1.3硅片制备
外延（4学时）
2.1 外延概述
2.2 汽相外延
2.3 分子束外延
2.4 其它外延方法
2.5 外延层缺陷及检测
热氧化（4学时）
3.1 二氧化硅薄膜概述
3.2  硅的热氧化
3.3 初始氧化阶段及薄氧化层制备
3.4 热氧化过程中的杂质再分布
3.5 氧化层的质量及检测
3.6 其它氧化方法
扩散（4学时）
4.1 扩散机构
4.2 晶体中扩散的基本特点及宏观动力学方程
4.3 杂质的扩散掺杂
4.4 热扩散工艺中影响杂质分布的其他因素
4.5 扩散工艺条件与方法
4.6 扩散工艺质量与检测
4.7 扩散工艺的发展
离子注入（4学时）
5.1 概述
5.2 离子注入原理
5.3 注入离子在靶中的分布
5.4 注入损伤
5.5 退火
5.6 离子注入设备与工艺
5.7 离子注入的其它应用
5.8 离子注入与热扩散比较及掺杂新技术
化学汽相淀积（5学时）
6.1 CVD概述
6.2 CVD工艺原理
6.3 CVD工艺方法
6.4 二氧化硅薄膜的淀积
6.5 氮化硅薄膜淀积
6.6 多晶硅薄膜的淀积
6.7 CVD金属及金属化合物薄膜
物理汽相淀积（3学时）
7.1 PVD概述
7.2 真空系统及真空的获得
7.3 真空蒸镀
7.4 溅射
7.5 PVD金属及化合物薄膜
光刻工艺（6学时）
8.1  光刻概述
8.2 基本光刻工艺流程
8.3  光刻掩膜板制造技术
8.4 光刻胶
8.5 紫外曝光技术
8.6 光刻增强技术
8.7 其它曝光技术
8.8 光刻新技术展望
刻蚀技术（3学时）
9.1  概述
9.2 湿法刻蚀技术
9.3 干法刻蚀技术
9.4  SiO2薄膜的干法刻蚀技术
9.5  多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术
典型工艺集成（3学时）
10.1 工艺集成
10.2  工艺集成--集成电路中的隔离技术
10.3 CMOS集成电路的工艺集成
10.4 双极型集成电路的工艺集成
结语   我的中国芯